试题详情
- 简答题例举出传统装配的4个步骤。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于
- 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生
- 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因
- 例出并描述4种真空范围。
- 什么是离子注入中常发生的沟道效应（Cha
- 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 说明影响氧化速率的因素。
- STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀
- 二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
- 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
- 描述RF溅射系统。
- Si-SiO2界面
- 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各
- 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从
- 例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
- 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡
- 什么是薄膜？
- 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法