试题详情
- 单项选择题铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。
A、等离子体刻蚀
B、反应离子刻蚀
C、湿法刻蚀
D、溅射刻蚀
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 晶片表面上的粒子是通过()到达晶片的表面
- 激光退火目前有()激光退火两种。
- 我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树
- 一般用()测量注入的剂量。
- 在保证贴片质量的前提下,贴片应该考虑哪些
- 列举FET、MOSFET、集成电路的焊接
- 危害半导体工艺的典型金属杂质是()。
- 焊锡膏在管理和使用时应注意哪些问题?
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加
- 请总结归纳QFP、BGA、CSP、MCM
- 铜互连金属多层布线中,磨料的粒径一般为(
- 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是()。
- 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅
- 如何选用半导体分立器件?
- 数字集成电路的电源滤波应该如何进行?为什
- 离子注入装置的主要部件有()、分析器、加
- 电气测量技术的应用所以能在现代各种测量技
- 去正胶常用的溶剂有()
- 设计电子产品生产的工艺布局应考虑哪些因素
- 试默写出色标法的色码定义。黑、棕、红、橙