试题详情
- 简答题分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 个投影曝光系统采用ArF光源,数值孔径为
- 简述硼和磷的退火特性。
- 例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。
- 简述BOE(或BHF)刻蚀SiO
- 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺
- 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生
- 例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述
- 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
- 以P2O
- 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模
- 根据曝光方式的不同,光学光刻机可以分成几
- 给出使用初级泵和真空泵的理由。
- 例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
- 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
- 描述RCA清洗工艺。
- 什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?
- 描述净化间的舞厅式布局。
- 描述金属复合层中用到的材料?
- 描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
- 描述电子回旋共振(ECR)。