试题详情
- 单项选择题晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A、n型掺杂区
B、P型掺杂区
C、栅氧化层
D、场氧化层
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