试题详情
- 单项选择题在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A、栅氧化层
B、沟槽
C、势垒
D、场氧化层
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻
- 下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）
- 绘制电原理图中的连线，应遵循什么原则？
- 试说明发光二极管的结构和工作原理。发光二
- 试叙述老化筛选的原理，作用及方法。“电解
- 降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临
- 试叙述SMT印制板波峰焊接的工艺流程。
- 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA
- 什么叫内部噪声？内部噪声是怎样产生的？
- 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作
- 片状元器件有哪些包装形式？
- 我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之
- 说明簧片类元件的焊接技巧是什么？
- TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中
- SMT工艺对粘合剂有何要求？SMT工艺常
- 在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可
- 已知电阻上色标排列次序如下，试写出各对应
- 下列可作为磷扩散源的是（）。
- 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）