试题详情
- 单项选择题在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。
A、SIMS技术
B、扩展电阻技术
C、微分电导率技术
D、四探针技术
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩
- 真空镀膜室是由（）几部分组成。
- 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更
- 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
- （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不
- 电子产品的工艺文件有哪些种类？有什么作用
- 二氧化硅膜的质量要求有（）。
- 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
- 请总结归纳QFP、BGA、CSP、MCM
- 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的
- 关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（
- 静电释放的英文简述为（）。
- 不可以对SiO2进
- 选择使用安装导线时应注意哪些问题？
- 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有
- 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表
- He，OH，Na等元素在900℃下，在二
- 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将
- 检验水中是否有盐酸，可用（）溶液滴入水中