试题详情
- 简答题硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
- 二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
- 例出并描述4种真空范围。
- 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺
- 描述热氧化过程。
- 射频放电与直流放电相比有何优点？
- 刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工
- CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么
- 什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯
- 什么是CMOS技术？什么是 ASIC？
- 分别简述RVD和GILD的原理，它们的优
- 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡
- 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别
- 下图为硅外延生长速度对H2
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这
- 解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时