试题详情
- 简答题已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，计算在第一个电子的子能带态（n=1）和在第一个空穴子能带态（n=1）的偏移。
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