试题详情
- 简答题已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV，求该LED在第一子能带态的发光波长。
-
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 某GaN发光二极管，温度变化系数k=-2
- 制造白光LED方法主要有哪几种？
- 影响白光LED寿命的主要因素有哪些？
- 直插0.06瓦小功率LED负极引脚焊点的
- pn结温度升高对白光LED有什么影响？
- 指出紫外单芯片+红、绿、蓝荧光粉的白光L
- 某直接带隙半导体材料的发光波长为550n
- 某大功率LED在环境温度25℃时，测得其
- 在直插式Φ8LED封装时，芯片可以视为点
- 第一只发光二极管是哪年有哪家公司发明的？
- 阐述多色芯片中三芯片白光LED红、绿、蓝
- LED封装的主要功能有哪些？
- 已知金线的极限抗拉强度σb
- 在大功率单芯片LED封装时，芯片可以视为
- 为什么要依照时间及温度烘烤？
- 在同一坐标系中，某白光LED发光谱线下的
- 系统电路板的厚度为1.5mm，用其双面敷
- 能带与能级的区别是什么？
- 搅拌后为什么要立即使用？
- 已知GaAs半导体材料的Eg=1.424