试题详情
- 简答题什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 下图为硅外延生长速度对H2
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别
- 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工
- 描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
- 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的
- 写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解
- 什么是特征尺寸CD？
- 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？
- 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法
- 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
- 什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这
- 解释投射电子能显微镜。
- 光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什
- 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关
- 例举并描述6种不同的塑料封装形式。
- CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么
- 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生
- 什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业