试题详情
- 简答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道
- 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
- 名词解释：high-k；low-k；Fa
- 例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅
- 写出IC制造的5个步骤。
- 热生长SiO2 –
- 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
- 描述RF溅射系统。
- 离子注入后为什么要进行退火？
- 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时
- 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是
- 例举在线参数测试的4个主要子系统。
- 对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆
- 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模
- 采用CF4作为气
- 浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
- 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从
- 什么是印刷电路板？