试题详情
- 简答题 采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 描述热氧化过程。
- 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
- 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
- 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
- 常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理
- 名词解释：high-k；low-k；Fa
- 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模
- 例举淀积的5种主要技术。
- 说明SiO2的结构
- 说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧
- Si-SiO2界面
- 例出并描述4种真空范围。
- 例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测
- 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？
- 什么是CMOS技术？什么是 ASIC？
- 例出典型的硅片湿法清洗顺序。
- 例举并描述薄膜生长的三个阶段。
- 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
- 例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述