试题详情
- 简答题例举并描述薄膜生长的三个阶段。
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 采用CF4作为气
- 简述APCVD、LPCVD、PECVD的
- 简述几种典型真空泵的工作原理。
- 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀
- 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
- 例举出传统装配的4个步骤。
- 下图为硅外延生长速度对H2
- 什么是多层金属化?它对芯片加工来说为什么
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 描述金属复合层中用到的材料?
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关
- 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的
- 什么是硅片的自然氧化层?由自然氧化层引起
- 解释空气质量净化级别。
- 什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时
- 例举淀积的5种主要技术。
- 描述电子回旋共振(ECR)。
- 例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解
- 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?