试题详情
- 简答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 写出半导体产业发展方向?什么是摩尔定律?
- 描述热氧化过程。
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温
- 给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路
- 简述APCVD、LPCVD、PECVD的
- 什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?
- 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
- 例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测
- 分别简述RVD和GILD的原理,它们的优
- 二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?
- 什么是More moore定律和More
- 对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆
- 解释投射电子能显微镜。
- 什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应?如
- 什么是结深?
- 例举并描述6种不同的塑料封装形式。
- 描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。