试题详情
- 简答题离子注入后为什么要进行退火?
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 描述净化间的舞厅式布局。
- 在干法刻蚀的终点检测方法中,光学放射频谱
- 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
- 什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个
- 在MEMS加工中,为了精确控制腐蚀深度,
- 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
- 例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测
- 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因
- 简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 简述几种典型真空泵的工作原理。
- 写出菲克第一定律和第二定律的表达式,并解
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 应力分为压应力和张应力,下图的形状是由于
- 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
- 解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
- 给出使用初级泵和真空泵的理由。
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 例出并描述4种真空范围。
- 解释离子束扩展和空间电荷中和。