试题详情
- 多项选择题下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A、ARC可以是硅的氮化物
B、可用干法刻蚀除去
C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
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