试题详情
- 单项选择题通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
A、再分布
B、等表面浓度扩散
C、预淀积
D、等总掺杂剂量扩散
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项
- （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高
- 选择使用安装导线时应注意哪些问题？
- 属于铝的性质有（）。
- 铜与铝相比较，其性质有（）。
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）
- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳
- 在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指
- （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活
- 下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950
- 对集成电路封装形式进行小结，并收集信息是
- 离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受
- 在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质
- 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（
- 干簧继电器和电磁式继电器相比有哪些特点？
- 电阻器如何分类？电阻器的主要技术指标有哪
- 固化贴片胶有几种方法？
- 离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。
- 工艺工作在电子产品形成的各阶段应完成哪些