试题详情
- 多项选择题静电释放带来的问题有哪些()。
A、金属电迁移
B、金属尖刺现象
C、芯片产生超过1A的峰值电流
D、栅氧化层击穿
E、吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐
- 请说明常用覆铜板的基板材料及其各自的性能
- 离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的
- 如何对电子元器件进行检验和筛选?
- 电磁线的作用是什么?请总结归纳各类电磁线
- 在对导线镀锡时,应掌握哪些要点?
- 在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离
- 二氧化硅膜的质量要求有()。
- ()就是用功率密度很高的激光束照射半导体
- 试写出SMC元件的小型化进程是什么?
- 由于离子交换树脂反应,它既可以去除水中杂
- ()是指每个入射离子溅射出的靶原子数。
- 请用四色环标注出电阻:6.8kΩ±5%,
- 叙述测试晶体管的方法?
- 电流通过导线时,在导线里因电阻损耗而产生
- 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是
- He,OH,Na等元素在900℃下,在二
- 电子元器件的主要参数有哪几项?
- 在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是