试题详情
- 简答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 写出IC制造的5个步骤。
- 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是
- 什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯
- 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
- 例举在线参数测试的4个主要子系统。
- 为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺
- 在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，
- 什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业
- 什么是特征尺寸CD？
- 光刻和刻蚀的目的是什么？
- 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因
- 什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起
- 名词解释：CVD、LPCVD、PECVD
- 描述热氧化过程。
- 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别
- 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
- 什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个
- 例举淀积的5种主要技术。
- 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？