试题详情
- 简答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 什么是CMOS技术?什么是 ASIC?
- 光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什
- 例举出7种先进封装技术。
- 什么是硅化物?难熔金属硅化物在硅片制造业
- 简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温
- 什么是薄膜?
- 影响氧化速度的因素有哪些?
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
- 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
- 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
- 什么是多层金属化?它对芯片加工来说为什么
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 以P2O
- 例出并描述4种真空范围。
- 离子在靶内运动时,损失能量可分核阻滞和电
- 干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法
- 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
- 描述RCA清洗工艺。
- 什么是硅片的自然氧化层?由自然氧化层引起
- 对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆