试题详情
- 简答题例举出7种先进封装技术。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
- 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是
- 为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺
- 例举并描述薄膜生长的三个阶段。
- 说明SiO2的结构
- 什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在
- 简述几种典型真空泵的工作原理。
- 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关
- 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的
- 光刻和刻蚀的目的是什么？
- 例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解
- 什么是IC可靠性？什么是老化测试？
- 什么是印刷电路板？
- 简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温
- 例举淀积的5种主要技术。
- 硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
- 以P2O
- 最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普
- 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。