试题详情
- 简答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道
- 例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解
- 在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦
- 下图为硅外延生长速度对H2
- 分别简述RVD和GILD的原理，它们的优
- 名词解释：high-k；low-k；Fa
- 描述CVD反应中的8个步骤。
- 简述硼和磷的退火特性。
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
- 简述常规热氧化办法制备SiO2
- 名词解释：CVD、LPCVD、PECVD
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工
- MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们
- 离子注入后为什么要进行退火？
- 什么是特征尺寸CD？
- 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？
- 什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这
- 根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几