试题详情
- 简答题描述CVD反应中的8个步骤。
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 什么是掺杂?例举四种常用的掺杂杂质并说明
- 砷化镓相对于硅的优点是什么?
- CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么
- 解释什么是暗场掩模板?
- 解释空气质量净化级别。
- 写出IC制造的5个步骤。
- 什么是离子分布的偏斜度和峭度,和标准高斯
- 简述硼和磷的退火特性。
- 光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 例举出传统装配的4个步骤。
- 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别
- 物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述
- 例举淀积的5种主要技术。
- 什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?
- 什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时
- 射频放电与直流放电相比有何优点?
- 什么是印刷电路板?
- 例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅