试题详情
- 简答题物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述
- 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别
- 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
- 例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别
- 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
- 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是
- 下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出
- 对净化间做一般性描述。
- 说明影响氧化速率的因素。
- 例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
- 常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理
- 什么是More moore定律和More
- 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
- 什么是薄膜？
- 例举并描述薄膜生长的三个阶段。
- 描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
- 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法
- 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡