试题详情
- 简答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 名词解释：CVD、LPCVD、PECVD
- 例举出7种先进封装技术。
- 例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅
- 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
- 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别
- 离子注入后为什么要进行退火？
- 简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温
- 解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影
- 什么是薄膜？
- 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因
- 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的
- 解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被
- 例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶
- 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时
- 简述BOE（或BHF）刻蚀SiO
- 简述杂质在SiO2
- 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
- 以P2O
- 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡