试题详情
- 单项选择题在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
A、4~6h
B、50min~2h
C、10~40min
D、5~10min
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- 晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有
- 什么时候才可以进行通电检查?为什么?
- ()主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的
- 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成(
- 电子产品生产的主要工艺流程是怎样的?
- 下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主
- 用五色环标注电阻:2.00kΩ±1%,3
- 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有
- 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,
- 电原理图中的虚线有哪些辅助作用?在电原理
- 工艺文件的电子文档化要注意哪些问题?怎样
- 属于铝的性质有()。
- 买来的新树脂往往是Na型或Cl型,新树脂
- 树脂使用过程中需保持一定温度,阳树脂和阴
- 物理气相沉积简称()。
- 当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的
- 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,
- 电子元器件的主要参数有哪几项?
- 焊锡膏在管理和使用时应注意哪些问题?