试题详情
- 单项选择题二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。
A、降低
B、增加
C、不变
D、先降低后增加
关注下方微信公众号,在线模考后查看

热门试题
- ()的气体源中一般包含H+
- 由于水中阴阳离子都有导电能力,所以水的(
- Torr是指()的单位。
- 铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的
- 对焊点质量有何要求?简述不良焊点常见的外
- 选用电声元件时应注意哪些问题?
- 用五色环标注电阻:2.00kΩ±1%,3
- 请总结电烙铁的分类及结构是什么?
- 电气测量技术的应用所以能在现代各种测量技
- 什么叫额定值?什么情况下要考虑降额使用?
- 请说明常用覆铜板的基板材料及其各自的性能
- 物理气相沉积简称()。
- 一般用()测量注入的剂量。
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加
- 集成电路有哪些封装形式?分别如何安装?
- 如何正确选用电阻器?
- 用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂
- 静电释放的英文简述为()。
- 离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。
- 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注