试题详情
- 简答题例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
- 杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生
- 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
- 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生
- 以P2O
- 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工
- 描述RCA清洗工艺。
- 例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶
- 在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱
- 画出侧墙转移工艺和self-aligne
- 说明SiO2的结构
- 解释离子束扩展和空间电荷中和。
- 描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
- 离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电
- 描述热氧化过程。
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别
- 简述BOE（或BHF）刻蚀SiO
- 例出并描述4种真空范围。