试题详情
- 简答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 什么是IC可靠性？什么是老化测试？
- 描述CVD反应中的8个步骤。
- 给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路
- 分别简述RVD和GILD的原理，它们的优
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
- 什么是特征尺寸CD？
- 什么是CMOS技术？什么是 ASIC？
- 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
- 采用CF4作为气
- 解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影
- 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
- 什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子
- 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的
- 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
- 个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为
- 简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温
- 例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一
- 解释下列名词：互连、接触、通孔和填充塞。